Южнокорейский производитель чипов памяти SK Hynix объявил о планах инвестировать 19 трлн вон (около $13 млрд) в строительство нового завода передовой упаковки полупроводников в Чхонджу. Строительство объекта, получившего название P&T7, начнётся в апреле 2026 года. Завод будет специализироваться на производстве чипов памяти высокой пропускной способности (HBM), которые являются критически важными компонентами для ускорителей искусственного интеллекта, включая оборудование Nvidia.
Это инвестиционное решение стало одним из крупнейших в истории компании и подчёркивает её стремление укрепить лидирующие позиции на рынке памяти для ИИ. SK Hynix уже приступила к массовому производству нового поколения модулей памяти, предназначенных для будущего чипа Nvidia Vera Rubin.
Параллельно компания отчиталась о рекордной операционной прибыли в первом квартале 2026 года, которая составила 37,6 трлн вон ($25,4 млрд), что более чем в пять раз превышает показатели годичной давности. Выручка за период достигла 52,6 трлн вон.
Однако реакция рынка на эти новости оказалась сдержанной. Акции SK Hynix упали примерно на 1% после анонса инвестиций и ещё на 2,1% после публикации финансовых результатов. Аналитики связывают это с тем, что инвесторы уже заложили высокие ожидания в цену бумаг, которые с начала года выросли почти на 90%.
«Более глубокая проблема заключается не в том, силён ли спрос сегодня, а в том, сможет ли он сохраниться на таком уровне», — отмечают эксперты. Компания подтвердила, что заявки клиентов на HBM-память уже превышают её производственные мощности на следующие три года, что создаёт узкое место в цепочке поставок.
Председатель правления SK Group Чхве Тхэ Вон предупредил, что общий дефицит полупроводниковых пластин может сохраняться до 2030 года из-за опережающего спроса со стороны индустрии ИИ. В ответ компания планирует увеличить капитальные расходы по сравнению с прошлогодними 30,2 трлн вон, расширяя мощности за счёт нового завода и закупки передового оборудования для литографии.
