Южнокорейский технологический гигант Samsung демонстрирует стратегическую активность на двух ключевых направлениях — энергетическом и полупроводниковом, получая поддержку от крупнейших игроков рынка и государственных программ.
В сфере накопителей энергии (ESS) дочерняя компания Samsung SDI объявила о заключении крупного контракта на поставку призматических аккумуляторов для систем хранения энергии в США. Сумма сделки оценивается в $1 млрд (около 1,5 трлн вон). Поставки по контракту начнутся в текущем году и продлятся до 2029 года. Изначально Samsung SDI будет поставлять никель-кобальт-алюминиевые (NCA) батареи, а затем перейдет на литий-железо-фосфатные (LFP) элементы.
Производство будет осуществляться на совместном предприятии StarPlus Energy в штате Индиана, созданном вместе с автоконцерном Stellantis. Этот завод является частью более масштабных инвестиций в $5,7 млрд и получил федеральный заем в размере $7,54 млрд для поддержки производства аккумуляторов для электромобилей. Часть существующих линий по производству EV-батарей перепрофилируется под ESS, что отражает общерыночный тренд в сторону накопителей энергии для сетевого масштаба.
Сделка и расширение производства тесно связаны с политикой администрации США. Закон о снижении инфляции (IRA) предусматривает налоговые льготы для отечественных производителей аккумуляторов: $35 за киловатт-час для ячеек и $10 за кВт·ч для модулей. Аналитики Benchmark Mineral Intelligence отмечают, что запланированные мощности по производству батарей в США выросли примерно на две трети с момента принятия закона. Позиционируясь как единственный некитайский поставщик призматических ESS-батарей в Северной Америке, Samsung SDI стремится стать альтернативой китайским производителям.
В полупроводниковом бизнесе материнская компания Samsung Electronics получила мощный сигнал поддержки от лидера рынка ИИ-чипов Nvidia. На конференции разработчиков GTC в Калифорнии глава Nvidia Дженсен Хуанг подтвердил, что Samsung производит новый процессор для ИИ-выводов Groq LP30, причем производство уже началось, а поставки ожидаются во второй половине 2026 года. Samsung также продемонстрировала чипы Nvidia, созданные с использованием ее 4-нанометрового техпроцесса.
Это заявление укрепило ожидания инвесторов относительно возможного восстановления убыточного фаундри-подразделения Samsung. Акции компании в ходе торгов во вторник, 17 марта, выросли на 4,3%, достигнув 196 800 вон. Аналитики полагают, что бизнес по контрактному производству чипов может выйти на уровень безубыточности в следующем году, если заказы, связанные с ИИ, продолжат расти.
Параллельно Samsung представила на GTC свое новое поколение высокопропускной памяти HBM4E, которое обеспечивает скорость до 16 гигабит в секунду на вывод, что более чем на 20% быстрее, чем у предыдущего поколения HBM4. Общая пропускная способность достигает 4,0 терабайт в секунду. Поставки образцов HBM4E запланированы на вторую половину 2026 года. Компания также анонсировала использование гибридной медной сборки, которая снижает тепловое сопротивление примерно на 20% и позволяет укладывать 16 и более слоев.
