SK Hynix инвестирует $12,9 млрд в новый завод для производства памяти для ИИ

8 часов назад 3 источника positive

Главное по теме:

  • Инвестиции SK Hynix укрепляют связь между рынком AI-чипов и крипто-сектором, особенно для проектов, связанных с децентрализованными вычислениями.
  • Рост цен на память HBM может увеличить операционные расходы для майнинговых пулов и сетей, требующих высокопроизводительного железа.
  • Конкуренция между SK Hynix и Samsung создает волатильность для акций связанных компаний, что может повлиять на общий рыночный sentiment.

Южнокорейский гигант в области полупроводников SK Hynix объявил о масштабных инвестициях в размере 19 трлн вон (около $12,9 млрд) в строительство нового завода по упаковке чипов в Чхонджу. Строительство объекта начнётся в апреле 2026 года, а завершение запланировано на конец 2027 года.

Новый завод, получивший обозначение P&T7, будет специализироваться на передовой упаковке высокопроизводительной памяти (HBM), критически важной для систем искусственного интеллекта. Компания объяснила это решение стремительным ростом спроса на память для ИИ, прогнозируя среднегодовые темпы роста рынка HBM на уровне 33% в период с 2025 по 2030 год.

SK Hynix доминирует на рынке HBM с долей в 61%, опережая конкурентов Samsung Electronics (19%) и Micron (20%). Новое производство в Чхонджу станет третьим ключевым центром передовой упаковки компании наряду с объектами в Ичхоне и Вест-Лафайетте (США) и будет работать в синергии с существующими фабриками M15X и другими предприятиями кампуса.

Инвестиции также являются частью государственной стратегии по децентрализации экономического роста за пределами столичного региона. В компании заявили, что целью является не только краткосрочная эффективность, но и «укрепление промышленной базы страны и создание структуры совместного роста столичного региона и местных территорий».

Ранее на выставке CES 2026 в Лас-Вегасе SK Hynix представила свои решения памяти следующего поколения, оптимизированные для ИИ, под девизом «Инновационный ИИ, устойчивое завтра».

Конкурентная гонка на рынке памяти для ИИ набирает обороты. Samsung Electronics также объявила о планах увеличить производственные мощности HBM примерно на 50% в 2026 году и инвестировать $41,5 млрд в строительство объекта P5 в Пхёнтхэке, запуск которого намечен на 2028 год. По данным отчётов, Samsung уже превзошла SK Hynix и Micron во внутренних тестах Nvidia для памяти шестого поколения (HBM4).

Переориентация производителей на выпуск дорогостоящей памяти для ИИ привела к сокращению предложения на рынке обычной DRAM-памяти. Аналитики TrendForce прогнозируют рост средних цен на DRAM, включая HBM, на 50-55% в первом квартале 2026 года по сравнению с четвёртым кварталом 2025 года. Это уже положительно сказывается на финансовых результатах компаний: Samsung ожидает, что её операционная прибыль за декабрьский квартал утроится в годовом исчислении.

Главное сегодня
Отказ от ответственности

Данный материал носит информационный характер и не является инвестиционной рекомендацией. Криптоактивы высокорискованны и волатильны — возможна полная потеря средств. Материалы могут содержать ссылки и пересказы сторонних источников; администрация не отвечает за их содержание и точность. Coinalertnews рекомендует самостоятельно проверять информацию и консультироваться со специалистами, прежде чем принимать любые финансовые решения на основе этого контента.